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J-GLOBAL ID：201103083357467680

スピンバルブトランジスタ

Inventor： 佐藤 俊彦 ,  秋永 広幸 ,  本田 元就 ,  樽茶 清悟 ,  大野 圭司 ,  横山 浩
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2001382827
Publication number (International publication number)：2003188390
Patent number：4162888
Application date： Dec. 17, 2001
Publication date： Jul. 04, 2003
Claim (excerpt)：

【請求項1】 半導体層上にアバランシェブレイクダウンによる電子増倍層が形成され、該電子増倍層上に第一の磁性体層が積層され、該第一の磁性体層上に、順にトンネルバリア層と、第二の磁性体層とを積層した構造を有することを特徴とするスピンバルブトランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/82 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 29/82 Z ,  H01L 43/08 U

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• スピン伝導素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-267626   Applicant：株式会社東芝
• 磁性体デバイス及びそれを用いた磁気センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-189366   Applicant：株式会社東芝
• スピン・トランジスタ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-538670   Applicant：アイシス・イノベーション・リミテッド
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-252168   Applicant：株式会社東芝