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J-GLOBAL ID：201103087888867645

磁性薄膜を用いた伝送線路デバイス

Inventor：
中山 英俊

About 中山 英俊


Applicant, Patent owner：
独立行政法人国立高等専門学校機構

About 独立行政法人国立高等専門学校機構


Agent (1)： 三枝 弘明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010055675
Publication number (International publication number)：2011193093
Application date： Mar. 12, 2010
Publication date： Sep. 29, 2011
Summary：
【課題】磁性薄膜を構成要素として有する伝送線路デバイスの小型化ならびに挿入損失低減を行う。【解決手段】伝送線路デバイスの導体ライン1の表皮効果や近接効果を抑制するために、導体ライン1の線路方向に沿ってスリットを設けて導体ライン1を分割する。また、磁性薄膜2の渦電流損失を抑制するために、磁性薄膜2の面内にスリット10-1、10-2を設けて磁性薄膜2を分割する。そして、導体ライン1のスパイラル線路構造に上記の少なくともいずれか一方の構成を組み合わせて挿入損失を低減することにより解決する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
導体ラインと、該導体ラインに対して誘電体を介して積層された磁性薄膜とを構成要素として有する伝送線路デバイスにおいて、前記導体ラインはスパイラル線路構造を有するとともに、該スパイラル線路構造の平面形状において前記磁性薄膜の磁化困難軸方向に励磁する線路方向の線路長成分の合計が磁化容易軸方向に励磁する線路方向の線路長成分の合計よりも大きく、前記磁性薄膜は、前記導体ラインの少なくとも一部の線路部分に沿ったスリットにより分断されていることを特徴とする伝送線路デバイス。
IPC (2)：
H01P 3/08 ,  H01F 17/00
FI (2)：
H01P3/08 ,  H01F17/00 B
F-Term (7)：
5E070AA05 ,  5E070AB07 ,  5E070BA11 ,  5E070BB05 ,  5E070CB03 ,  5E070CB12 ,  5J014CA42
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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