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J-GLOBAL ID：201103096808340497

微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 谷脇 雅文 ,  新田 紀子
Applicant, Patent owner： 公立大学法人高知工科大学
Agent (1)： 三好 秀和
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1999329838
Publication number (International publication number)：2001148354
Patent number：4608607
Application date： Nov. 19, 1999
Publication date： May. 29, 2001
Claim (excerpt)：

【請求項1】単結晶基板に荷電粒子を注入して生成した格子間原子の移動度が、前記注入により生成された原子空孔の移動度よりも大きくなるように、前記単結晶基板を-50°C以下-273°C以上の低温に冷却する工程と、 前記単結晶基板の表面に前記荷電粒子を1×1014cm-2以上5×1016cm-2以下のドーズ量にて、所定の加速電圧で注入する工程と、 前記単結晶基板を室温に戻す工程 とを含み、 前記単結晶基板の表面に、それぞれの直径が前記荷電粒子の射影飛程のオーダである複数の凹部からなる蜂の巣構造のパターンを形成することを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (1)：

H01L 21/265 ( 200 6.01)

FI (1)：

H01L 21/265 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-196416
  
• トレンチ形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-188398   Applicant：エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-318127   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-013040   Applicant：沖電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-198184   Applicant：富士通株式会社