薄膜形成装置およびそれを用いた薄膜形成方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人深見特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010224080
Publication number (International publication number)：2011012349
Application date： Oct. 01, 2010
Publication date： Jan. 20, 2011
Summary：

【課題】検知感度の高い赤外線検出素子に適した強誘電体薄膜を形成可能な薄膜形成装置およびそれを用いた薄膜形成方法を提供することである。【解決手段】薄膜形成装置1000は、真空槽10と、真空槽内を移動可能なように保持されるターゲット保持台12と、成膜材料を含むターゲット20と、このターゲット20の表面に、高エネルギー放射線を放射するためのArFエキシマレーザ30と、エキシマレーザからの放射線をターゲット20の表面に集光させるための光学系と、基板40を保持する基板保持台50と、基板40に堆積する物質を酸化させるための酸化性ガスを真空槽10内に導入するための酸化性ガス導入部60と、基板保持台50の内部に設けられ基板を真空槽10内において加熱するためのヒータ70と、基板保持台50に保持された基板40に光線を照射するためのライト80とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

真空槽と、前記真空槽内の所定の位置に設けられ、成膜材料を含むターゲットを固定可能なターゲット部と、前記ターゲット部に固定された前記ターゲットの表面に高エネルギー放射線を放射するための高エネルギー放射線発生源と、前記高エネルギー放射線を前記ターゲット部に固定された前記ターゲットに集光させるための光学系と、前記ターゲット部に対向するように設けられ、前記高エネルギー放射線により前記ターゲットから噴出した物質を堆積させるための基板を保持する基板保持部と、前記基板に堆積する物質を酸化させるための酸化性ガスを前記真空槽内に導入するための酸化性ガス導入手段と、前記基板を前記真空槽内において加熱するための加熱手段と、前記基板部に保持された前記基板に熱線を照射するための第1の照射手段とを備える、薄膜形成装置。

IPC (1)：

C23C 14/28

FI (1)：

C23C14/28

F-Term (9)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BD01 , 4K029CA02 , 4K029DB05 , 4K029DB08 , 4K029DB20 , 4K029DB23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平4-214008
ビスマス層状化合物薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-060284 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
特開平3-174306

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

レーザーアブレーション法によるSr2(Ta1-x,Nbx)2O7薄膜の低温作製と電気的特性
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