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J-GLOBAL ID：201202246475019772   Reference number：12A1636373

先端電子デバイスの量産を支える超精密研磨技術 触媒表面基準エッチングによる単結晶SiC,GaN表面の平滑化

Author (3)： YAMAUCHI KAZUTO (大阪大 大学院工学研究科) ,  SANO YASUHISA (大阪大 大学院工学研究科) ,  ARIMA KENTA (大阪大 大学院工学研究科)
Material： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
Volume： 78  Issue： 11  Page： 947-951  Publication year： Nov. 05, 2012 
JST Material Number： F0268C  ISSN： 0912-0289  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： solid state device ,  ultraprecision machining ,  semiconductor device ,  *etching ,  flatness (property) ,  *silicon carbide ,  *gallium nitride ,  single crystal ,  smoothing ,  *ultraprecision polishing ,  *electron device
Semi thesaurus term： *chemical etching ,  *electron device ,  flattening

JST classification (2)： Special machining  (QC04000Y) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (16)：

• 1) 土肥俊郎:諸説・半導体CMP技術,工業調査会,(2001).
• 2) H. Hara, Y. Sano, H. Mimura, K. Arima, A. Kubota, K. Yagi, J. Murata and K. Yamauchi : J. Electron. Mater., 35, L11 (2006).
• 3) 松波弘之:半導体SiC技術と応用,日刊工業新聞社,(2003).
• 4) T. Kato, K. Wada, E. Hozomi, H. Taniguchi, T. Miura, S. Nishizawa and K. Arai : Mater. Sci. Forum., 556-557, 753 (2007).
• 5) W. Qian, M. Skowronski, G. Augustine, R. C. Glass, H. McD. Hobgood and R. H. Hopkins : J. Electro-chem. Soc., 142, 4290 (1995).

Terms in the title (7)： 電子デバイス ,  量産 ,  超精密研磨 ,  触媒 ,  エッチング ,  GaN ,  平滑化