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J-GLOBAL ID：201202252871541023   Reference number：12A1310703

Influence of Argon-Plasma Etching of Single-Crystalline Silicon on Electroless Displacement Deposition of Metal Particles

アルゴンプラズマエッチングがシリコンへの金属微粒子無電解置換析出に及ぼす影響

Author (8)： FUJIWARA RYOTA (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  HAGIHARA TAIZO (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  HAGIHARA TAIZO (神港精機) ,  MATSUDA TAKASHI (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  EGO TAKUMA (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  FUKUMURO NAOKI (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  YAE SHINJI (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  MATSUDA HITOSHI (兵庫県大 大学院工学研究科)
Material： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
Volume： 63  Issue： 9  Page： 581-584  Publication year： Sep. 01, 2012 
JST Material Number： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *wafer ,  plasma etching ,  *platinum ,  *fine particle ,  *precipitation(phase separation) ,  hydrogen fluoride ,  substitution reaction
Semi thesaurus term： *silicon substrate

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (26)：

• 1)G. Oskam, J. G. Long, A. Natarajan, P. C. Searson ; J. Phys. D: Appl. Phys., 31, 1927(1998).
• 2)L. A. Nagahara, T. Ohmori, K. Hashimoto, A. Fujishima ; J. Electroanal. Chem., 333, 363(1992).
• 3)P. Gorostiza, J. Servat, J. R. Morante, F. Sanz ; Thin Solid Films, 275, 12(1996).
• 4)P. Gorostiza, R. Diaz, J. Servat, F. Sanz ; J. Electrochem. Soc., 144, 909(1997).
• 5)S. Yae, N. Nasu, K. Matsumoto, T. Hagihara, N. Fukumuro, H. Matsuda ; Electrochim. Acta, 53, 35(2007).

Terms in the title (7)： アルゴン ,  プラズマエッチング ,  シリコン ,  金属微粒子 ,  電解 ,  置換 ,  析出