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J-GLOBAL ID：201202257209482469   Reference number：12A1438642

窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定

Author (10)： TAKAMIYA KENGO (埼玉大 大学院) ,  YAGI SHUHEI (埼玉大 大学院) ,  HIJIKATA YASUTO (埼玉大 大学院) ,  MOCHIZUKI TOSHIMITSU (東大 物性研) ,  YOSHITA MASAHIRO (東大 物性研) ,  AKIYAMA HIDEFUMI (東大 物性研) ,  KUBOYA SHIGEYUKI (東大) ,  ONABE KENTARO (東大) ,  KATAYAMA RYUJI (東北大 金属材料研) ,  YAGUCHI HIROYUKI (埼玉大 大学院)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 73rd  Page： ROMBUNNO.12P-PB11-20  Publication year： Aug. 27, 2012 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *delta doping ,  *Nitrogen ,  *gallium arsenide ,  *photoluminescence ,  spectroscopy ,  trapping center ,  compound semiconductor ,  gallium compound ,  arsenide ,  nitride ,  wavelength ,  light source ,  *gallium arsenide nitride ,  single photon source ,  *isoelectronic trap ,  *excitation wavelength

JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (7)： 窒素 ,  δドープ ,  GaAs ,  等電子トラップ ,  フォトルミネッセンス ,  励起 ,  分光測定