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J-GLOBAL ID：201202260396597445   Reference number：12A1439068

カーボンナノウォールの自己配列化成長と電界効果素子の作製

Author (8)： KAWAHARA TOSHIO (中部大) ,  YAMAGUCHI SATARO (中部大) ,  ONO YASUHIDE (大阪大 産科研) ,  MAEHASHI KENZO (大阪大 産科研) ,  MATSUMOTO KAZUHIKO (大阪大 産科研) ,  OKAMOTO KAZUMASA (北大 工) ,  UTSUNOMIYA RISA (日新電機) ,  MATSUBA TERUAKI (日新電機)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 73rd  Page： ROMBUNNO.12P-E3-1  Publication year： Aug. 27, 2012 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *nanostructure ,  plasma CVD ,  electron beam lithography ,  RIE ,  *epitaxy ,  *FET ,  current-voltage characteristic ,  *carbon nanowall
Semi thesaurus term： graphoepitaxy

JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (5)： カーボンナノウォール ,  自己配列化 ,  成長 ,  電界効果素子 ,  作製