Art

J-GLOBAL ID：201202261737588934   Reference number：12A1166671

Fabrication of a SiC/Ge-Nanodots Stacked Structure Using Organometallic Compounds

有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製

Author (9)： ANEZAKI YUTAKA (Nagaoka Univ. of Technol.) ,  OTANI TAKASHI (Nagaoka Univ. of Technol.) ,  SUDO HARUKI (Nagaoka Univ. of Technol.) ,  KATO TAKAHIRO (Nagaoka Univ. of Technol.) ,  KATO ARIYUKI (Nagaoka Univ. of Technol.) ,  SUEMITSU MAKI (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ.) ,  NARITA YUZURU (Yamagata Univ.) ,  NAKAZAWA HIDEKI (Hirosaki Univ.) ,  YASUI KANJI (Nagaoka Univ. of Technol.)
Material： 表面科学  (JSSSJ)
Volume： 33  Issue： 7  Page： 376-381 (J-STAGE)  Publication year： 2012 
JST Material Number： F0940B  ISSN： 0388-5321  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *nanostructure ,  *laminate structure ,  surface structure ,  scanning tunneling microscope ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  photoluminescence ,  *germanium compound ,  carbide ,  quantum dot ,  protective film
Semi thesaurus term： cap-layer ,  *nanodot

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Substance index (2)： Methylgermane ,  Methylsilane

Reference (21)：

• 1) J. Drucker: IEEE J. Quantum Electron. 38, 975 (2002).
• 2) Y. Shiraki and A. Sakai: Surf. Sci. Rep. 59, 153 (2005).
• 3) H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu: Appl. Phys. Lett. 66, 3024 (1995).
• 4) O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl, O. Kienzle and F. Ernst: Thin Solid Films 321, 70 (1998).
• 5) Vinh Le Thanh, P. Boucaud, D. Débarre, Y. Zheng, D. Bouchier and J.-M. Lourtioz: Phys. Rev. B 58, 13115 (1998).

Terms in the title (6)： 有機金属化合物 ,  SiC ,  Ge ,  ナノドット ,  積層構造 ,  作製