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J-GLOBAL ID：201202291915487310   Reference number：12A1598974

世界的な競争領域にある最先端デバイス技術 2.不揮発性メモリ技術の最前線 2-2 シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向

Author (6)： ENDO TETSUO (東北大 大学院工学研究科) ,  OSAWA TAKASHI (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  KOIKE HIROKI (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  HANYU TAKAHIRO (東北大 電通研) ,  KASAI NAOKI (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  ONO HIDEO (東北大 電通研)
Material： 電子情報通信学会誌  (Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
Volume： 95  Issue： 11  Page： 986-991  Publication year： Nov. 01, 2012 
JST Material Number： F0019A  ISSN： 0913-5693  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *technological review ,  competitiveness ,  *nonvolatile memory ,  *magnetic memory ,  torque ,  *spintronics
Semi thesaurus term： global competitiveness ,  spin torque

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (12)：

• OHNO, H. Magnetic tunnel junction for nonvolatile CMOS logic. International Electron Devices Meeting, San Francisco, USA, Dec. 2010. 2010, 218-221
• POP, E. Energy dissipation and transport in nanoscale devices. Nano Research. 2010, 3, 3, 147-169
• KAWAHARA, T. 2 Mb SPRAM (SPin-Transfer Torque RAM) with bit-by-bit bi-directional current write and parallelizing-direction current read. IEEE J. Solid-State Circuits. 2008, 43, 1, 109-120
• 多々良源. スピントロニクス理論の基礎. 2009
• IKEDA, S. A perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction. Nature Materials. 2010, 9, 9, 721-724

Terms in the title (10)： 世界 ,  競争 ,  最先端 ,  不揮発性メモリ ,  シリコン ,  限界 ,  スピントルク ,  注入 ,  磁気メモリ ,  最新動向