Pat
J-GLOBAL ID：201203006347461279

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor：
末光 涼

About 末光 涼


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010171917
Publication number (International publication number)：2012033385
Application date： Jul. 30, 2010
Publication date： Feb. 16, 2012
Summary：
【課題】プラズマ密度の制御性に優れたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1電極と、第2電極と、誘電体部材と、比誘電率制御部と、を備えたプラズマ処理装置が提供される。第1電極と第2電極との間にプラズマが生起される。誘電体部材は、第1電極と第2電極との間に設けられる。比誘電率制御部は、誘電体部材の比誘電率を、第1電極から第2電極に向かう方向に対して交叉する面内で変える。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1電極と、 前記第1電極との間にプラズマが生起される第2電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた誘電体部材と、 前記誘電体部材の比誘電率を、前記第1電極から前記第2電極に向かう方向に対して交叉する面内で変える比誘電率制御部と、 を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3)：
H05H 1/46 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/509
FI (5)：
H05H1/46 M ,  H01L21/302 101B ,  H01L21/302 101C ,  C23C16/509 ,  H05H1/46 L
F-Term (14)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030KA02 ,  4K030KA23 ,  4K030KA46 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB22 ,  5F004BB32 ,  5F004BD04 ,  5F004CA06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM