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J-GLOBAL ID：200903017909412590

載置台およびプラズマアッシング処理装置

Inventor：
吉森 大晃

About 吉森 大晃


Applicant, Patent owner：
芝浦メカトロニクス株式会社

About 芝浦メカトロニクス株式会社


Agent (2)： 日向寺 雅彦 ,  市川 浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007192927
Publication number (International publication number)：2009032768
Application date： Jul. 25, 2007
Publication date： Feb. 12, 2009
Summary：
【課題】本発明は、装置の大型化を招くことなく被処理物の主面に対して斜めの方向からイオンを入射させることができる載置台およびプラズマアッシング処理装置を提供する。【解決手段】プラズマアッシング処理される被処理物を載置する載置台であって、高周波を印加することによりプラズマを発生可能とした電極と、前記電極の上に設けられ、前記電極の上面に対して前記被処理物を傾斜した状態で載置可能とした傾斜手段と、を備えたことを特徴とする載置台が提供される。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
プラズマアッシング処理される被処理物を載置する載置台であって、 高周波を印加することによりプラズマを発生可能とした電極と、 前記電極の上に設けられ、前記電極の上面に対して前記被処理物を傾斜した状態で載置可能とした傾斜手段と、 を備えたことを特徴とする載置台。
IPC (2)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/683
FI (2)：
H01L21/302 104H ,  H01L21/68 N
F-Term (17)：
5F004AA01 ,  5F004AA09 ,  5F004BA06 ,  5F004BB11 ,  5F004BB22 ,  5F004BD01 ,  5F004CA06 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F031CA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA38 ,  5F031HA50 ,  5F031HA80 ,  5F031MA32 ,  5F031PA30
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
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