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J-GLOBAL ID：201203009419373883

透明導電膜の形成方法及び透明導電膜

Inventor：
梅野 正義

About 梅野 正義

, 
脇田 紘一

About 脇田 紘一

, 
カリタ ゴラップ

About カリタ ゴラップ


Applicant, Patent owner：
梅野 正義

About 梅野 正義


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010161678
Publication number (International publication number)：2012020915
Application date： Jul. 16, 2010
Publication date： Feb. 02, 2012
Summary：
【課題】簡易な方法により大面積で高透過率、低抵抗率の透明導電膜を得ること。【解決手段】CVD反応容器の第1の領域にショウノウを配置する工程と、CVD反応容器の第2の領域にグラフェンシートを形成する基板を配置する工程と、第1の領域を加熱して、ショウノウを蒸気化し、CVD反応容器内において、不活性ガスのキャリアガスを第1の領域から第2の領域に向けて流すことにより、加熱された第2の領域に配置された基板(Ni)上にショウノウの蒸気を導く工程と、加熱された第2の領域に配置された基板上において、ショウノウの蒸気を熱分解して、基板上に、グラフェンシートを得る工程を有する。そして、グラフェンシートと接触している基板の表面を、ウエットエッチングして、グラフェンシートをエッチング溶液中に剥離させる工程と、エッチング溶液中に剥離したグラフェンシートを、対象物上に貼り付ける工程とを有する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
透明導電膜の形成方法において、 CVD反応容器の第1の領域にショウノウを配置する工程と、 CVD反応容器の第2の領域にグラフェンシートを形成する基板を配置する工程と、 前記第1の領域を加熱して、ショウノウを蒸気化し、CVD反応容器内において、不活性ガスのキャリアガスを前記第1の領域から前記第2の領域に向けて流すことにより、加熱された第2の領域に配置された前記基板上に前記ショウノウの蒸気を導く工程と、 加熱された第2の領域に配置された前記基板上において、前記ショウノウの蒸気を熱分解して、前記基板上に、グラフェンシートを得る工程と、 前記グラフェンシートと接触している基板の表面を、ウエットエッチングして、前記グラフェンシートをエッチング溶液中に剥離させる工程と、 エッチング溶液中に剥離した前記グラフェンシートを、対象物上に貼り付ける工程と、 を有することを特徴とする透明導電膜の形成方法。
IPC (4)：
C01B 31/02 ,  H01B 13/00 ,  H01B 5/14 ,  C23C 16/26
FI (4)：
C01B31/02 101Z ,  H01B13/00 503B ,  H01B5/14 A ,  C23C16/26
F-Term (38)：
4G146AA01 ,  4G146AA07 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01B ,  4G146AC16B ,  4G146AC20A ,  4G146AC20B ,  4G146AC30B ,  4G146AD01 ,  4G146AD22 ,  4G146AD24 ,  4G146BA11 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146BC46 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA27 ,  4K030BB02 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030LA01 ,  4K030LA16 ,  5G307FB04 ,  5G307FC10 ,  5G323BA05 ,  5G323BB03 ,  5G323BB06 ,  5G323BC03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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