プローブ装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小原肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011033525
Publication number (International publication number)：2012058225
Application date： Feb. 18, 2011
Publication date： Mar. 22, 2012
Summary：

【課題】パワーデバイスの静特性及び動特性(スイッチング特性)をウエハレベルで確実に測定することができるプローブ装置を提供する。【解決手段】本発明のプローブ装置10は、ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された半導体ウエハWを載置する移動可能な載置台12と、載置台12の上方に配置されたプローブカード13と、少なくとも載置台12の上面に形成された導体膜と半導体ウエハWの裏面に形成された導体層とが導通する状態で半導体ウエハWにプローブ13Aを電気的に接触させてパワーデバイスの電気的特性をウエハレベルで測定するテスタ15と、を備え、プローブカード13の外周縁部に導通ピン14を設け、パワーデバイスの電気的特性をウエハレベルで測定時に、導通ピン14を介して載置台12の導体膜電極(コレクタ電極)とテスタ15とを電気的に接続する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された被検査体を載置する移動可能な載置台と、上記載置台の上方に配置された複数のプローブを有するプローブカードと、少なくとも上記載置台の載置面に形成された導体膜電極とこれに載置された上記被検査体の裏面に形成された導体層とが導通する状態で上記被検査体に上記プローブを電気的に接触させて上記パワーデバイスの電気的特性を測定する測定部を備えたプローブ装置であって、上記パワーデバイスの電気的特性の測定時に、上記載置台の上記導体膜電極と上記測定部とを電気的に接続する導通部材を上記プローブカードの外周縁部と上記載置台の外周縁部に介在させたことを特徴とするプローブ装置。

IPC (3)：

G01R 31/26 , H01L 21/66 , G01R 31/28

FI (3)：

G01R31/26 J , H01L21/66 B , G01R31/28 K

F-Term (26)：

2G003AA01 , 2G003AA02 , 2G003AA04 , 2G003AA10 , 2G003AB01 , 2G003AB09 , 2G003AC08 , 2G003AD09 , 2G003AE09 , 2G003AG04 , 2G003AG13 , 2G003AH05 , 2G003AH07 , 2G132AB07 , 2G132AD07 , 2G132AF02 , 2G132AL00 , 2G132AL11 , 4M106AA01 , 4M106AA02 , 4M106CA04 , 4M106CA60 , 4M106CA62 , 4M106DD10 , 4M106DD11 , 4M106DJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体ウエハ及び半導体検査方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-311521 Applicant：株式会社東京精密, 株式会社東精エンジニアリング
載置台
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-266479 Applicant：東京エレクトロン株式会社
特開昭62-291937

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