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J-GLOBAL ID：201203020285934160

複合基板及び複合基板の製造方法

Inventor：
多井 知義

About 多井 知義

, 
堀 裕二

About 堀 裕二


Applicant, Patent owner：
日本碍子株式会社

About 日本碍子株式会社


Agent (1)： 特許業務法人アイテック国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011245452
Publication number (International publication number)：2012124473
Application date： Nov. 09, 2011
Publication date： Jun. 28, 2012
Summary：
【課題】13族窒化物からなる第1の基板と、セラミックスからなる第2の基板とを貼り合わせた複合基板につき、放熱性をよくすると共に製造時の製造時のプロセスを簡単にする。【解決手段】セラミックスからなる第2の基板12の表面12aに金属膜23を形成し(c)、この金属膜23を介して13族窒化物からなる第1の基板21と第2の基板12とを接合する(d)。金属膜23は一般に酸化膜と比べて熱伝導率が高いため、こうすることで酸化膜を介して第1の基板21と第2の基板12とを接合した場合と比べて放熱性のよい複合基板10を得ることができる。また、酸化膜を用いないため外方拡散の工程が不要となり、プロセスが簡単になる。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
(a)13族窒化物からなる第1の基板と、セラミックスからなる第2の基板とを用意する工程と、 (b)前記第1の基板の裏面に水素イオン又は希ガスイオンを注入して該第1の基板内部にイオン注入層を形成する工程と (c)前記第1の基板の裏面と前記第2の基板の表面とのうち、少なくとも該第2の基板の表面に物理蒸着法又は化学蒸着法により金属膜を形成する工程と、 (d)前記第1の基板の裏面と前記第2の基板の表面とを前記金属膜を介して接合する工程と、 (e)前記第1の基板のうち前記イオン注入層から該第1の基板の表面側を剥離する工程と、 を含む、 複合基板の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  B23K 20/00
FI (5)：
H01L21/02 B ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 601Q ,  B23K20/00 310L ,  B23K20/00 310M
F-Term (32)：
4E167AA21 ,  4E167AA29 ,  4E167AB01 ,  4E167AB02 ,  4E167AB05 ,  4E167AD10 ,  4E167AD11 ,  4E167BA02 ,  4E167BA09 ,  4E167CA05 ,  4E167CA10 ,  4E167CC01 ,  4E167DA05 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LM09 ,  5F152LN01 ,  5F152LP01 ,  5F152LP04 ,  5F152LP07 ,  5F152LP09 ,  5F152MM01 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM18 ,  5F152NN05 ,  5F152NN09 ,  5F152NN17 ,  5F152NN21 ,  5F152NN30 ,  5F152NP17 ,  5F152NQ09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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