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J-GLOBAL ID：200903047196097157

基板接合方法および基板接合装置

Inventor：
須賀 唯知

About 須賀 唯知

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モハメド・マティアル・ハウラダー

About モハメド・マティアル・ハウラダー

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阿部 智之

About 阿部 智之


Applicant, Patent owner：
須賀 唯知

About 須賀 唯知

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アユミ工業株式会社

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Agent (6)： 八田 幹雄 ,  野上 敦 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003137882
Publication number (International publication number)：2004337927
Application date： May. 15, 2003
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：
【課題】表面活性化接合が難しかったイオン性結晶等からなる基板同士を低温度処理により接合することができる新たな表面活性化接合技術を提供する。【解決手段】基板800a、800bを接合する基板接合装置10は、基板800a、800bが搬入される照射室100と、照射室100内で基板800a、800bの接合面へ不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス中性原子ビームと、金属イオンビームまたは金属中性原子ビームとを照射して島状の金属薄膜を作製するビーム照射部300と、を有し、前記金属薄膜を媒介として前記基板同士を表面活性化接合する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
複数の基板同士を接合する基板接合方法であって、 真空中で各基板の接合面へ、不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス中性原子ビームと、金属イオンビームまたは金属中性原子ビームとを照射して、各基板の接合面上に1nm〜100nmの膜厚の金属薄膜を形成する段階と、 各基板の接合面同士を重ね合わせることによって前記金属薄膜を媒体として前記基板同士を表面活性化接合する段階と、を有することを特徴とする基板接合方法。
IPC (7)：
B23K20/00 ,  B23K20/14 ,  B23K20/24 ,  B29C65/02 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (5)：
B23K20/00 310L ,  B23K20/14 ,  B23K20/24 ,  B29C65/02 ,  H01L25/08 B
F-Term (13)：
4E067BA00 ,  4E067DA05 ,  4E067DB01 ,  4E067DC01 ,  4E067DC04 ,  4E067EA05 ,  4E067EB00 ,  4F211AD20 ,  4F211AG03 ,  4F211TA13 ,  4F211TH02 ,  4F211TH06 ,  4F211TH24
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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