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J-GLOBAL ID:200903051517192693
常温接合によるデバイス、デバイス製造方法ならびに常温接合装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (2):
工藤 実
, 中尾 圭策
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006149896
Publication number (International publication number):2007324195
Application date: May. 30, 2006
Publication date: Dec. 13, 2007
Summary:
【課題】難接合性材料から成る基板(たとえば、SiO2系材料基板)を、常温接合により実用的な接合強度で接合して得られるデバイスおよびそのデバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】第1基板11と第2基板12との界面27には、接合強度を生起する中間材層28が形成され、この中間材層に複数の金属元素が内在している。スパッタリング時の運転パラメーターにより、その複数の金属元素の界面元素存在比率が0.07以上をとる様に制御する。【選択図】図5
Claim (excerpt):
複数の金属と、
第1基板と、
前記複数の金属を介して常温接合により前記第1基板に接合される第2基板
とを具備するデバイスであって、
前記複数の金属は、界面元素存在比率が0.07以上である
デバイス。
IPC (1):
FI (1):
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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弾性表面波素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-136511
Applicant:富士通メディアデバイス株式会社, 富士通株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
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イオンビームエッチングを用いたレーザー光学結晶の接合法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-215082
Applicant:日本原子力研究所, 株式会社光学技研
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基板接合方法および基板接合装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-137882
Applicant:須賀唯知, アユミ工業株式会社
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異種材料複合体およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-344286
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所
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