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J-GLOBAL ID：200903090538823230

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Inventor：
丸汎ラジェシュクマール

About 丸汎ラジェシュクマール

, 
竹内 有一

About 竹内 有一


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (3)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004323514
Publication number (International publication number)：2006135150
Application date： Nov. 08, 2004
Publication date： May. 25, 2006
Summary：
【課題】 NOを用いなくても不純物などがドーピングされた酸化膜を形成でき、かつ、製造工程の簡略化を図れるSiC半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 トレンチ5内にチャネル層6を構成するためのN-型層を形成したのち、このN-型層の上にN型不純物を高度度で含むN+型層を成膜し、このN+型層を熱酸化することでゲート酸化膜を構成する酸化膜8を形成する。これにより、ゲート酸化膜中にN型不純物がドーピングされるようにして、界面準位密度や固定電荷密度の低い信頼性が高く、高性能な構造とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1導電型または第2導電型の炭化珪素基板(1)の上に、該炭化珪素基板(1)よりも低濃度な第1導電型の炭化珪素からなる第1半導体層(2)、第2導電型の炭化珪素からなる第2半導体層(3)、第1導電型の炭化珪素からなる第3半導体層(4)が順に形成された、前記炭化珪素基板(1)と前記第1〜第3半導体層(2〜4)とを有してなる半導体基板を用意する工程と、 前記半導体基板のセル領域において、前記第3、第2半導体層(4、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達するトレンチ (5)を形成する工程と、 前記トレンチ(5)内に、エピタキシャル成長によって第1導電型の第4半導体層(32)を形成する工程と、 前記第4半導体層(32)のうち前記トレンチ(5)の側壁面上に形成された領域が完全に酸化されるように熱酸化を行い、前記トレンチ(5)内にゲート酸化膜として機能する部分を含む酸化膜(8)を形成する工程と、 前記トレンチ(5)内において、前記酸化膜(8)の表面にゲート電極(9)を形成する工程と、 前記第3半導体層(4)と電気的に接続される第1電極(14)を形成する工程と、 前記炭化珪素基板(1)に電気的に接続される第2電極(19)を形成する工程と、を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265
FI (11)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658A ,  H01L21/265 Z ,  H01L21/265 V
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第6,570,185号公報
Cited by examiner (11)
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