窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：酒井宏明 , 田代至男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010192552
Publication number (International publication number)：2012049463
Application date： Aug. 30, 2010
Publication date： Mar. 08, 2012
Summary：

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される1以上のIII族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含む。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、5×1016cm-3〜5×1018cm-3である。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される1以上のIII族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含むことを特徴とする窒化物系化合物半導体。

IPC (10)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/205 , H01L 29/207 , H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 21/261

FI (9)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L29/78 618B , H01L21/205 , H01L29/207 , H01L21/20 , H01L21/265 Q , H01L21/265 602 , H01L21/26 N

F-Term (79)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB15 , 5F045AB17 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF09 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F045DA59 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL15 , 5F102GL17 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GS01 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F110AA06 , 5F110AA30 , 5F110CC01 , 5F110DD04 , 5F110EE02 , 5F110EE14 , 5F110GG04 , 5F110GG19 , 5F110GG32 , 5F110GG52 , 5F110GG58 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F140AA24 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA10 , 5F140BA17 , 5F140BB15 , 5F140BB18 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BC17 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F152LL05 , 5F152MM02 , 5F152MM04 , 5F152MM05 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN10 , 5F152NN13 , 5F152NP09 , 5F152NQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

化合物半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-038905 Applicant：富士通株式会社
III族窒化物基板として使用可能なIII族窒化物結晶およびその製造方法並びにそれを用いた半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-159940 Applicant：松下電器産業株式会社, 森勇介
エピタキシャル層付きIII族窒化物基板、及びそれを用いた半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-101928 Applicant：住友電気工業株式会社

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Cited by examiner (5)

化合物半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-038905 Applicant：富士通株式会社
III族窒化物基板として使用可能なIII族窒化物結晶およびその製造方法並びにそれを用いた半導体素子
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エピタキシャル層付きIII族窒化物基板、及びそれを用いた半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-101928 Applicant：住友電気工業株式会社

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