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J-GLOBAL ID：200903095806686251

窒化ガリウム系半導体素子及びこれを用いた光学装置並びにこれを用いた画像表示装置

Inventor：
琵琶 剛志

About 琵琶 剛志

, 
西中 逸平

About 西中 逸平

, 
奥山 浩之

About 奥山 浩之


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (3)： 逢坂 宏 ,  森 幸一 ,  松村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007174789
Publication number (International publication number)：2009016467
Application date： Jul. 03, 2007
Publication date： Jan. 22, 2009
Summary：
【課題】逆バイアス印加時に発生する漏洩電流を抑制することができるGaN系半導体素子及びこれを用いた光学装置、画像表示装置を提供すること。【解決手段】GaN系半導体素子は、n型の導電型層を含む第1GaN系化合物層と、p型の導電型層を含む第2GaN系化合物層と、第1GaN系化合物層と第2GaN系化合物層との間に形成された活性層とを有し、第1GaN系化合物層は、Siドーピング濃度(原子/cm3)が3×10183以上、3×1019以下である下地層を含み、逆方向バイアスが印加された場合に、活性層の漏洩電流密度(A/cm2)が2×10-5以下である。Siドーピング濃度をより好ましくは、4×1018、8×1018、1×1019以上とすることによって、漏洩電流密度を8×10-6、1×10-6、6×10-7以下とすることができる。GaN系半導体素子を発光素子として構成して、これを光学装置、画像表示装置に用いる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
n型の導電型層を含む第1GaN系化合物層と、 p型の導電型層を含む第2GaN系化合物層と、 前記第1GaN系化合物層と前記第2GaN系化合物層との間に形成された活性層と を有し、前記第1GaN系化合物層は、n型の不純物濃度が3×1018/cm3以上、3×1019/cm3以下である下地層を含み、5Vの逆方向バイアスが印加された場合に、前記活性層の単位面積当りに流れる電流の密度である漏洩電流密度が2×10-5A/cm2以下である、窒化ガリウム系半導体素子。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (2)：
H01L33/00 C ,  H01L33/00 L
F-Term (16)：
5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F041CB25 ,  5F041CB33 ,  5F041CB36 ,  5F041DA43 ,  5F041DB08 ,  5F041FF06 ,  5F041FF11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (6)
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