III族窒化物基板として使用可能なIII族窒化物結晶およびその製造方法並びにそれを用いた半導体素子

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004159940
Publication number (International publication number)：2006008416
Application date： May. 28, 2004
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：

【課題】高品位であり、製造効率も高く、しかも半導体製造プロセスの基板として使用可能で、有用なIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 III族窒化物結晶の製造方法において、組成式AlsGatIn1-s-tN(ただし、0≦s≦1、0≦t≦1、s+t≦1)で表される半導体からなる第1の層11を形成し、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に第1の層11の表面を接触させることによって、第1の層11よりも転位密度等の結晶構造の欠陥が大きい第2の層12を形成し、窒素を含む雰囲気下において、上記融液中で、組成式AluGavIn1-u-vN(ただし、0≦u≦1、0≦v≦1、u+v≦1)で表される半導体からなり転位密度等の結晶構造の欠陥が第2の層12よりも小さい第3の層13を結晶成長させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

組成式AlsGatIn1-s-tN(ただし、0≦s≦1、0≦t≦1、s+t≦1)で表される半導体からなる第1の層と、前記第1の層上に形成された第2の層と、液相成長法によって前記第2の層上に形成された組成式AluGavIn1-u-vN(ただし、0≦u≦1、0≦v≦1、u+v≦1)で表される半導体からなる第3の層とを含み、前記第2の層は、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つの元素と窒素とを含み、前記第1の層、前記第2の層および前記第3の層は、少なくともその一部に結晶構造を有し、前記第2の層の前記結晶構造の欠陥密度が、前記第1の層および第3の層の欠陥密度よりも大きいことを特徴とするIII族窒化物結晶。

IPC (8)：

C30B 29/38 , C30B 19/12 , H01L 21/208 , H01L 33/00 , H01S 5/00 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338

FI (6)：

C30B29/38 D , C30B19/12 , H01L21/208 D , H01L33/00 C , H01S5/00 , H01L29/80 H

F-Term (58)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB04 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077EA04 , 4G077EA06 , 4G077EB01 , 4G077EB06 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077EH01 , 4G077EH09 , 4G077FJ03 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA34 , 4G077QA42 , 4G077QA71 , 4G077QA79 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F053AA03 , 5F053AA23 , 5F053AA44 , 5F053BB04 , 5F053BB12 , 5F053BB27 , 5F053DD20 , 5F053FF02 , 5F053GG01 , 5F053LL02 , 5F053LL03 , 5F053PP12 , 5F053RR03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01 , 5F173AA05 , 5F173AF03 , 5F173AF96 , 5F173AH22 , 5F173AJ13 , 5F173AP03 , 5F173AP05 , 5F173AQ12 , 5F173AQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-322132 Applicant：豊田合成株式会社
米国特許5868837号
GaN単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-097551 Applicant：科学技術振興事業団

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GaN系発光素子およびその作成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-138978 Applicant：古河電気工業株式会社
窒化物半導体基板、及びその成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-117910 Applicant：日亜化学工業株式会社
III族窒化物結晶、その成長方法、成長装置および半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-325500 Applicant：株式会社リコー

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