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J-GLOBAL ID：200903001968520743

ドープIII-V族窒化物材料、ならびにそれを含む超小型電子デバイスおよびデバイス前駆体構造

Inventor：
フリン,ジェフリー,エス.

About フリン,ジェフリー,エス.

, 
ブランデス,ジョージ,アール.

About ブランデス,ジョージ,アール.


Applicant, Patent owner：
クリー インコーポレイテッド

About クリー インコーポレイテッド


Agent (3)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003581267
Publication number (International publication number)：2005526384
Application date： Mar. 19, 2003
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：
デルタドープ層(24)および/またはドープ超格子を含むIII-V族窒化物超小型電子デバイス構造を開示する。デルタドーピング方法を開示し、該方法は、第1のエピタキシャル膜成長プロセスにより基板上に半導体材料を堆積するステップと、上記基板上の半導体材料の堆積を終了してエピタキシャル膜表面を与えるステップと、上記エピタキシャル膜表面で上記半導体材料をデルタドーピングして、その上にデルタドーピング層を形成するステップと、上記デルタドーピングを終了するステップと、第2のエピタキシャル膜成長プロセスで半導体材料の堆積を再開して上記デルタドーピング層上に半導体材料を堆積するステップと、上記半導体材料第2のエピタキシャル膜成長プロセスを所定の程度続行して、ドープ超小型電子デバイス構造を形成するステップとを含み、上記デルタドーピング層(24)が上記第1および第2のエピタキシャル膜成長プロセスで堆積された半導体材料内に内在化される。
Claim (excerpt)：
デルタドープ層を含む、III-V族窒化物超小型電子デバイス構造。
IPC (6)：
H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (3)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L29/72 H
F-Term (44)：
5F003BB01 ,  5F003BB02 ,  5F003BF06 ,  5F003BP08 ,  5F003BP23 ,  5F003BP32 ,  5F003BZ03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045CA07 ,  5F045DA57 ,  5F045DA63 ,  5F045EE12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL20 ,  5F102GM04 ,  5F102GN09 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (1)

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