薄膜誘電体

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：村井卓雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010214360
Publication number (International publication number)：2012069428
Application date： Sep. 24, 2010
Publication date： Apr. 05, 2012
Summary：

【課題】従来の薄膜誘電体は、薄膜化することにより特性が劣化する。【解決手段】ナノグラニュラー構造を有する薄膜誘電体:(イ)組成:一般式FeaCobNicMwNxOyFz,M成分はMg,Al,Si,Ti,Y,Zr,Nb,Hf及び/又はTa,組成比a,b,c,w,x,y,zは原子比率(%)で、0≦a≦60,0≦b≦60,0≦c≦60,10<a+b+c<60,10≦w≦50,0≦x≦50,0≦y≦50,0≦z≦50,20≦x+y+z≦70、a+b+c+w+x+y+z=100である;(ロ)構造:Fe,Co及び/又はNiからなり、かつnmサイズを有する金属グラニュールが、M成分とN,O及びFの少なくとも1種とからなる絶縁体マトリックスに分散している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

組成が一般式FeaCobNicMwNxOyFzで表わされ,M成分はMg,Al,Si,Ti,Y,Zr,Nb,Hf,Taのうちから選択される1種又は2種以上の元素であり,組成比a,b,c,w,x,y,zは原子比率(%)で、0≦a≦60,0≦b≦60,0≦c≦60,10<a+b+c<60,10≦w≦50,0≦x≦50,0≦y≦50,0≦z≦50,20≦x+y+z≦70、a+b+c+w+x+y+z=100で表わされるとともに、前記Fe,Co及びNiの少なくとも1種からなり、かつnmサイズを有する金属グラニュールが、前記M成分と前記N,O及びFの少なくとも1種とからなる絶縁体マトリックスに分散したナノグラニュラー構造を有することを特徴とする薄膜誘電体。

IPC (7)：

H01B 3/02 , C01G 53/00 , H01B 3/00 , C01B 33/10 , C01G 51/00 , C03C 17/245 , C01G 49/10

FI (9)：

H01B3/02 Z , C01G53/00 A , H01B3/00 F , C01B33/10 , C01G51/00 C , C01G51/00 B , C01G51/00 A , C03C17/245 A , C01G49/10

F-Term (36)：

4G048AA01 , 4G048AA03 , 4G048AA05 , 4G048AA06 , 4G048AB01 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G059AA08 , 4G059AC30 , 4G059EA07 , 4G059EB04 , 4G072AA19 , 4G072BB09 , 4G072FF01 , 4G072GG01 , 4G072NN11 , 4G072UU30 , 5E082FF05 , 5E082FG03 , 5E082FG26 , 5E082FG42 , 5G303AA07 , 5G303AB06 , 5G303BA03 , 5G303CA11 , 5G303CB01 , 5G303CB09 , 5G303CB13 , 5G303CB17 , 5G303CB21 , 5G303CB23 , 5G303CB30 , 5G303CB33 , 5G303CB35 , 5G303CB39 , 5G303CB40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

高電気比抵抗磁気抵抗膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-307441 Applicant：財団法人電気磁気材料研究所
高電気抵抗を有する磁気抵抗膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-184123 Applicant：財団法人電気磁気材料研究所
磁気抵抗比の温度係数が小さい磁気抵抗膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-109814 Applicant：財団法人電気磁気材料研究所

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