磁気抵抗比の温度係数が小さい磁気抵抗膜

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002109814
Publication number (International publication number)：2003258333
Application date： Mar. 06, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】本発明は,温度の変化が大きな環境で用いることが可能な,磁気抵抗比(MR比)の温度係数が小さく,且つMR比の値が5%以上の大きな磁気抵抗効果を示し104μΩcm以上の高い電気比抵抗を有する磁気抵抗膜を提供することを目的とする.【解決手段】一般式(Fe1-a-bCoaNib)100-x-y-zMxOyFzで表わされ,MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Sr,Zr,Nb,Mo,Ba,Hf,Ta,W,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素からなるナノグラニュラー薄膜で,-50〜+120°Cの温度範囲におけるMR比の温度係数が±500ppm/°C以内で,且つMR比の値が5%以上の大きな磁気抵抗効果を示し104μΩcm以上の高い電気比抵抗を有する磁気抵抗膜に関する.

Claim (excerpt)：

一般式(Fe1-a-bCoaNib)100-x-y-zMxOyFzで表わされ,MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Sr,Zr,Nb,Mo,Ba,Hf,Ta,W,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素であり,かつ組成比a,b,x,y,zは原子比率で,0≦a≦10≦b≦0.510≦x≦300≦y≦500≦z≦5030≦x+y+z≦60である組成からなり,5%以上の磁気抵抗比を有し,-50〜+120°Cの温度範囲における磁気抵抗比の温度係数が±500ppm/°C以内であることを特徴とする磁気抵抗比の温度係数が小さい磁気抵抗膜.

IPC (2)：

H01L 43/08 , H01F 10/10

FI (2)：

H01L 43/08 M , H01F 10/10

F-Term (2)：

5E049AB02 , 5E049BA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

一軸磁気異方性薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-224439 Applicant：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
高電気抵抗を有する磁気抵抗膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-281232 Applicant：財団法人電気磁気材料研究所
高電気比抵抗磁気抵抗膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-307441 Applicant：財団法人電気磁気材料研究所

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