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J-GLOBAL ID：201203034931355859

スイッチングが改良されたハイブリッド磁気トンネル接合要素を提供するための方法およびシステム

Inventor：
ドミトロ・アパルコフ

About ドミトロ・アパルコフ

, 
モハマド・トウフィック・クロウンビ

About モハマド・トウフィック・クロウンビ


Applicant, Patent owner：
グランディス インコーポレイテッド

About グランディス インコーポレイテッド


Agent (4)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011242355
Publication number (International publication number)：2012104825
Application date： Nov. 04, 2011
Publication date： May. 31, 2012
Summary：
【課題】スイッチングが改良されたハイブリッド磁気トンネル接合要素を提供するための方法およびシステムを提供すること。【解決手段】磁気デバイスで有用な磁気接合を提供するための方法およびシステムを説明する。磁気接合は、ピンド層、非磁性スペーサ層、および自由層を含む。非磁性スペーサ層は、ピンド層と自由層の間にある。自由層は、円錐状の容易磁気異方性を有する。磁気接合は、磁気接合に書き込み電流が流されるときに自由層が複数の安定な磁気状態間で切替え可能であるように構成される。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
磁気デバイスで使用するための磁気接合であって、 ピンド層と、 非磁性スペーサ層と、 円錐状の容易磁気異方性を有する自由層と、を備え、 前記非磁性スペーサ層が前記ピンド層と前記自由層の間に位置し、 磁気接合が、磁気接合に書き込み電流が流されるときに前記自由層が複数の安定な磁気状態間で切替え可能であるように構成される、磁気デバイスで使用するための磁気接合。
IPC (4)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08
FI (3)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z
F-Term (25)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC46 ,  5F092BE27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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