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J-GLOBAL ID:201203035387809200

光電変換素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011115816
Publication number (International publication number):2012243721
Application date: May. 24, 2011
Publication date: Dec. 10, 2012
Summary:
【課題】変換効率により優れ、色彩性を損なうことなく意匠性にも優れ、太陽電池用として好適な光電変換素子を提供する。【解決手段】透明導電膜上に半導体層を設けてなる半導体電極と、対向電極と、前記両極間に保持された電解質層とを備えた光電変換素子であって、前記半導体層が、金属酸化物半導体粒子の平均粒子径の異なる層が2層以上積層してなる積層膜であり、前記電解質層が、酸化還元対としてベンゾキノン誘導体及びヒドロキノン誘導体の両方をそれぞれ1.0mM〜1.0M、添加剤としてアンモニウム塩を1.0mM〜2.0M含有することを特徴とする光電変換素子。【選択図】図1
Claim (excerpt):
透明導電膜上に半導体層を設けてなる半導体電極と、対向電極と、前記両極間に保持された電解質層とを備えた光電変換素子であって、 前記半導体層が、金属酸化物半導体粒子の平均粒子径の異なる層が2層以上積層してなる積層膜であり、 前記電解質層が、酸化還元対としてベンゾキノン誘導体及びヒドロキノン誘導体の両方をそれぞれ1.0mM〜1.0M、添加剤としてアンモニウム塩を1.0mM〜2.0M含有することを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2):
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
F-Term (11):
5F151AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC14 ,  5H032CC16 ,  5H032EE07 ,  5H032EE18 ,  5H032EE20 ,  5H032HH02 ,  5H032HH04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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