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J-GLOBAL ID:201203050032016772
光電変換素子
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010243433
Publication number (International publication number):2012099230
Application date: Oct. 29, 2010
Publication date: May. 24, 2012
Summary:
【課題】色素の光吸収を抑え、色彩性を損なわない、高効率で意匠性に優れるとともに安定性が高く、太陽電池用として好適な光電変換素子を提供する。【解決手段】半導体電極と、対向電極と、前記両極間に保持された電解質層とを備えた光電変換素子であって、前記電解質層が、酸化還元対としてベンゾキノン誘導体及びヒドロキノン誘導体の両方をそれぞれ1.0mM〜1.0M、添加剤としてアンモニウム塩を1.0mM〜2.0M含有することを特徴とする光電変換素子。【選択図】図1
Claim (excerpt):
半導体電極と、対向電極と、前記両極間に保持された電解質層とを備えた光電変換素子であって、
前記電解質層が、酸化還元対としてベンゾキノン誘導体及びヒドロキノン誘導体の両方をそれぞれ1.0mM〜1.0M、添加剤としてアンモニウム塩を1.0mM〜2.0M含有することを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
FI (2):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
F-Term (16):
5F151AA14
, 5F151FA02
, 5F151FA03
, 5F151FA04
, 5F151FA08
, 5F151GA03
, 5F151GA05
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032CC16
, 5H032EE01
, 5H032EE04
, 5H032EE11
, 5H032EE20
, 5H032HH02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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多孔質半導体膜形成用塗料および光電気セル
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-330819
Applicant:日揮触媒化成株式会社
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光電変換素子、及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-101399
Applicant:富士ゼロックス株式会社
-
複合半導体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-092815
Applicant:旭化成株式会社
-
半導体電極用混合水溶液、半導体電極、光電変換素子及び太陽電池並びにこれらの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-184888
Applicant:日立化成工業株式会社
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光電変換素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2009-006495
Applicant:株式会社リコー
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光電変換素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-025260
Applicant:日本精工株式会社
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