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J-GLOBAL ID：201203039860548822

ダイヤモンドライクカーボン薄膜の製造方法及び該薄膜が金属基板上に形成された電極材料

Inventor：
本多 謙介

About 本多 謙介


Applicant, Patent owner：
国立大学法人山口大学

About 国立大学法人山口大学


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011051933
Publication number (International publication number)：2012188688
Application date： Mar. 09, 2011
Publication date： Oct. 04, 2012
Summary：
【課題】極めて電気抵抗の低いホウ素ドープ導電性ダイヤモンドライクカーボン薄膜の製造方法及び金属基板上に薄膜を一体構成した電極材料を提供する。【解決手段】炭素源として炭化水素を、ホウ素源として有機ホウ素化合物を用い、反応調整ガスとしてアルゴンガスを混在させ、高周波プラズマCVDにより基板上にホウ素ドープダイヤモンドライクカーボンを形成させる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
炭素源として、炭化水素を、ホウ素源として有機ホウ素化合物を、それぞれ原料ガスとして用い、反応調整ガスとしてアルゴンガスを、該原料ガスに混在させ、高周波プラズマCVDにより基板上に析出させることを特徴とするホウ素をドープした導電性を有するダイヤモンドライクカーボン薄膜の製造方法。
IPC (2)：
C23C 16/27 ,  C01B 31/02
FI (2)：
C23C16/27 ,  C01B31/02 101Z
F-Term (39)：
4G146AA05 ,  4G146AA17 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AC20B ,  4G146AC27B ,  4G146AC30B ,  4G146AD13 ,  4G146AD22 ,  4G146AD23 ,  4G146AD25 ,  4G146AD26 ,  4G146BA12 ,  4G146BA49 ,  4G146BB04 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC01 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC23 ,  4G146BC26 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32A ,  4G146BC32B ,  4G146BC38A ,  4G146BC38B ,  4G146BC45 ,  4G146BC47 ,  4K030AA09 ,  4K030AA20 ,  4K030BA28 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030DA04 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030KA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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