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J-GLOBAL ID:200903032209437524

水素化炭素膜の改質方法および水素化炭素膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004239783
Publication number (International publication number):2006056741
Application date: Aug. 19, 2004
Publication date: Mar. 02, 2006
Summary:
【課題】 改質後の透光性を改善することができる水素化炭素膜の改質方法およびその方法により得られた水素化炭素膜を提供する。【解決手段】 水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、酸素および硫黄の群から選択された少なくとも1種類の元素を含むガスの雰囲気中で、水素化炭素膜にエネルギビームを照射する水素化炭素膜の改質方法である。また、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、酸素および硫黄の群から選択された少なくとも1種類の元素を含む材料を水素化炭素膜の表面に設置した状態で、水素化炭素膜にエネルギビームを照射する水素化炭素膜の改質方法である。また、炭素および水素以外の第3の元素を含む水素化炭素膜にエネルギビームを照射する水素化炭素膜の改質方法である。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、酸素および硫黄の群から選択された少なくとも1種類の元素を含むガスの雰囲気中で、水素化炭素膜にエネルギビームを照射することを特徴とする、水素化炭素膜の改質方法。
IPC (2):
C01B 31/02 ,  G02B 5/18
FI (2):
C01B31/02 101Z ,  G02B5/18
F-Term (21):
2H049AA03 ,  2H049AA13 ,  2H049AA43 ,  2H049AA51 ,  2H049AA70 ,  4G146AA05 ,  4G146AB07 ,  4G146AC30B ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146CB11 ,  4G146CB32 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030BA28 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (8)
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