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J-GLOBAL ID:200903067287899184
複合半導体
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002092815
Publication number (International publication number):2003298082
Application date: Mar. 28, 2002
Publication date: Oct. 17, 2003
Summary:
【要約】【課題】 高い開放電圧(Voc)と高い曲線因子(F.F.)の発現が可能な光電変換素子と、それを用いた光化学電池を提供する。【解決手段】 結晶性n型半導体の表面を金属炭酸塩、金属酸化物およびチタン酸金属塩のいずれか1種以上を被覆してなることを特徴とする複合半導体を含有する半導体の膜が導電性支持体上に積層されてなる光電変換素子を用いる。
Claim (excerpt):
結晶性n型半導体の表面を金属炭酸塩、金属酸化物およびチタン酸金属塩のいずれか1種以上を被覆してなることを特徴とする複合半導体。
IPC (2):
FI (2):
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
F-Term (13):
5F051AA07
, 5F051AA14
, 5F051BA11
, 5F051CB13
, 5F051CB15
, 5F051GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032BB05
, 5H032CC16
, 5H032EE02
, 5H032EE16
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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光電変換素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-334130
Applicant:日立マクセル株式会社
-
色素増感型太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-281830
Applicant:住友大阪セメント株式会社
-
光電気セル
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-333995
Applicant:触媒化成工業株式会社
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