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J-GLOBAL ID:201203072437288196

質量分析用基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 佐々木 一也 ,  成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  佐野 英一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011001812
Publication number (International publication number):2012145351
Application date: Jan. 07, 2011
Publication date: Aug. 02, 2012
Summary:
【課題】レーザー脱離イオン化質量分析(LDI-MS)法において、高い分解能で十分なS/N比を得ることができ、数fmolより低い極微量でも精度良く試料の質量分析を行うことができる質量分析用基板を提供する。【解決手段】導電性を有する基材とこの基材の表面に設けられた試料保持用の測定スポットとを有し、レーザー脱離イオン化質量分析において分析試料を測定スポットに付着させて使用する質量分析用基板であり、測定スポットが金属酸化物とレーザー照射によりプロトン及び/又はカチオンを供給するイオン供給性有機物質とを含むと共に、スポット高さが1〜100μmであることにその特徴を有する。【選択図】なし
Claim (excerpt):
導電性を有する基材とこの基材の表面に設けられた試料保持用の測定スポットとを有し、レーザー脱離イオン化質量分析において分析試料を前記測定スポットに付着させて使用する質量分析用基板であり、 前記測定スポットは、金属酸化物とレーザー照射によりプロトン及び/又はカチオンを供給するイオン供給性有機物質とを含むと共に、そのスポット高さが1〜100μmであることを特徴とする質量分析用基板。
IPC (1):
G01N 27/62
FI (1):
G01N27/62 F
F-Term (11):
2G041CA01 ,  2G041DA03 ,  2G041EA01 ,  2G041FA10 ,  2G041GA02 ,  2G041GA03 ,  2G041GA05 ,  2G041GA06 ,  2G041GA08 ,  2G041JA06 ,  2G041LA08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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