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J-GLOBAL ID：201203080599355469
フラーレン誘導体並びにその溶液及びその膜
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011026156
Publication number (International publication number)：2012162506
Application date： Feb. 09, 2011
Publication date： Aug. 30, 2012
Summary：
【課題】エステル溶媒に対する高い溶解性に加えて、アルカリ溶媒への溶解性を有しているとともに、安価な原料のみで簡便に製造できるフラーレン誘導体、その溶液、及びその膜を提供する。【解決手段】下式(I)で表わされるフラーレン誘導体。(式中、R1は1以上3以下の水酸基を含み且つ水酸基以外の置換基を有していてもよい炭素数6〜18の芳香族性を有する炭化水素基を表し、aは1以上15以下のR1の平均付加数を表し、bは0以上4以下の水素原子(H)の平均付加数を表し、かつa>bを満たし、丸で示される構造はフラーレン骨格を表す。)【選択図】なし
Claim (excerpt)：
下記式(I)で表わされることを特徴とするフラーレン誘導体。
IPC (3)：
C07C 39/23
, C07C 37/14
, C07C 37/82
C07C39/23
, C07C37/14
, C07C37/82
4H006AA01
, 4H006AA02
, 4H006AB76
, 4H006AB78
, 4H006AB84
, 4H006AC23
, 4H006AC42
, 4H006AD33
, 4H006BA19
, 4H006BA37
, 4H006BD60
, 4H006FC52
, 4H006FC56
, 4H006FE13
, 4H039CA41
, 4H039CF10
Cited by examiner (10)
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フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2005-042390
Applicant：信越化学工業株式会社
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レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2005-042472
Applicant：信越化学工業株式会社
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炭素クラスター誘導体
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-344616
Applicant：中村栄一, 三菱化学株式会社
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Article cited by the Patent：
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