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J-GLOBAL ID：200903020878931609

フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法

Inventor：
畠山 潤

About 畠山 潤


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005042390
Publication number (International publication number)：2006227391
Application date： Feb. 18, 2005
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：
【解決手段】 一般式(1)で示されるフェノール性水酸基を有していてもよい炭素数6〜16のアリール基を有するフラーレン類を含有するフォトレジスト下層膜形成材料。 【化1】(R1は水素原子又はアルキル基、R2、R3、R4、R5、R6はアリール基で、エーテル基を有してもよく、a、b、c、d、eは0〜2の整数で、0≦a+b+c+d+e≦10の整数である。)【効果】 本発明のフォトレジスト下層膜形成材料は、必要により反射防止効果のある中間層と組み合わせることによって、200nm以上の膜厚で十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数を有し、基板加工に用いられるCF4/CHF3ガス及びCl2/BCl3系ガスエッチングの速度も通常のm-クレゾールノボラック樹脂よりも強固であり、高いエッチング耐性を有し、しかもパターニング後のレジスト形状も良好である。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示されるフェノール性水酸基を有していてもよい炭素数6〜16のアリール基を有するフラーレン類を含有することを特徴とするフォトレジスト下層膜形成材料。
IPC (3)：
G03F 7/11 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F7/11 503 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/30 502R
F-Term (24)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025CB32 ,  2H025DA25 ,  2H025DA34 ,  2H025DA39 ,  2H025DA40 ,  2H025FA35 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096CA06 ,  2H096HA07 ,  2H096HA24 ,  2H096JA04 ,  2H096KA18 ,  2H096KA19
Patent cited by the Patent：
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