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J-GLOBAL ID:200903049533247622

レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005042472
Publication number (International publication number):2006227398
Application date: Feb. 18, 2005
Publication date: Aug. 31, 2006
Summary:
【解決手段】 下記一般式(1)で示されるフェノール基を有するフラーレン類を添加することを特徴とするレジスト材料。 【化1】(式中、Rは水素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基、R1〜R5は水素原子又は酸不安定基である。a、b、c、d、eはそれぞれ0〜2の整数であり、1≦a+b+c+d+e≦10の整数である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好で、その上、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で示されるフラーレン類を含有することを特徴とするレジスト材料。
IPC (3):
G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (16):
2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB00 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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