成膜方法および記憶媒体

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高山宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011038773
Publication number (International publication number)：2012172250
Application date： Feb. 24, 2011
Publication date： Sep. 10, 2012
Summary：

【課題】成膜原料としてCo2(CO)8を用いてCo膜を成膜する場合に、Co膜の針状の異常成長を抑制することができる成膜方法を提供すること。【解決手段】処理容器1内に基板Wを配置し、基板Wの温度を160〜300°Cとし、処理容器1内に気体状のCo2(CO)8を供給し、基板W上でCo2(CO)8を熱分解させて基板W上にCo膜を成膜する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

処理容器内に基板を配置し、前記基板の温度を160〜300°Cとし、前記処理容器内に気体状のCo2(CO)8を供給し、前記基板上でCo2(CO)8を熱分解させて前記基板上にCo膜を成膜することを特徴とする成膜方法。

IPC (3)：

C23C 16/16 , H01L 21/285 , H01L 21/28

FI (3)：

C23C16/16 , H01L21/285 C , H01L21/28 301R

F-Term (25)：

4K030AA12 , 4K030AA14 , 4K030BA05 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030CA17 , 4K030DA02 , 4K030DA08 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030KA02 , 4K030KA23 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD52 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104FF18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

コバルトカルボニル錯体組成物及びコバルト膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-267296 Applicant：JSR株式会社
金属カルボニル前駆体からの金属層の成膜速度を上げる方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-543038 Applicant：東京エレクトロン株式会社, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレイション
金属カルボニル前駆体から金属層を堆積する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-543036 Applicant：東京エレクトロン株式会社, ト-キョ-・エレクトロン・アメリカ・インコーポレーテッド

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