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J-GLOBAL ID：201203091493933228

成膜方法および記憶媒体

Inventor：
東雲 秀司

About 東雲 秀司

, 
小島 康彦

About 小島 康彦


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011038773
Publication number (International publication number)：2012172250
Application date： Feb. 24, 2011
Publication date： Sep. 10, 2012
Summary：
【課題】成膜原料としてCo2(CO)8を用いてCo膜を成膜する場合に、Co膜の針状の異常成長を抑制することができる成膜方法を提供すること。【解決手段】処理容器1内に基板Wを配置し、基板Wの温度を160〜300°Cとし、処理容器1内に気体状のCo2(CO)8を供給し、基板W上でCo2(CO)8を熱分解させて基板W上にCo膜を成膜する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
処理容器内に基板を配置し、前記基板の温度を160〜300°Cとし、前記処理容器内に気体状のCo2(CO)8を供給し、前記基板上でCo2(CO)8を熱分解させて前記基板上にCo膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
IPC (3)：
C23C 16/16 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28
FI (3)：
C23C16/16 ,  H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R
F-Term (25)：
4K030AA12 ,  4K030AA14 ,  4K030BA05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030DA08 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030KA23 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD52 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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