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J-GLOBAL ID：201302234873325564   Reference number：13A0980136

非極性GaN層中の微結晶粒の効率的な検出と今後の展望

Author (5)： TOKUMOTO YUKI (東北大 金属材料研) ,  LEE Hyun-Jae (東北大 学際科学国際高等研究セ) ,  ONO YUTAKA (東北大 金属材料研) ,  YAO TAKAFUMI (東北大 学際科学国際高等研究セ) ,  YONENAGA ICHIRO (東北大 金属材料研)
Material： まてりあ  (Materia Japan)
Volume： 52  Issue： 6  Page： 273-277  Publication year： Jun. 01, 2013 
JST Material Number： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *nonpolarity ,  *microcrystal ,  crystal grain ,  pole figure ,  polarity ,  film production ,  X-Ray Diffraction ,  transmission electron microscope ,  compound semiconductor ,  light emitting diode ,  micro structure ,  structure analysis ,  crystal orientation ,  wurtzite type crystal ,  axial direction ,  light-emitting device
Semi thesaurus term： misorientation

JST classification (2)： Crystal structure of other inorganic compounds  (BK07030J) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (13)：

• (1) F. Bernardini, V. Fiorentini and D. Vanderbilt: Phys. Rev. B, 56(1997), R10024-R10027.
• (2) T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys., 36(1997), L382-L385.
• (3) C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki: Phys. Rev. B, 62(2000), R13302-R13305.
• (4) H. Masui, S. Nakamura, S. P. DenBaars and U. K. Mishra: IEEE Trans. Electron Devices, 57(2010), 88-100.
• (5) Y. Zhao, Q. Yan, C. Y. Huang, S. C. Huang, P. S. Hsu, S. Tanaka, C. C. Pan, Y. Kawaguchi, K. Fujito, C. G. Van de Walle, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura and D. Feezell: Appl. Phys. Lett., 100(2012), 201108.

Terms in the title (4)： 非極性 ,  GaN ,  微結晶 ,  展望