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J-GLOBAL ID：201302248696033613   Reference number：13A1293308

2インチSiC基板の紫外光支援研磨に関する研究

Author (3)： SAKAMOTO TAKESHI (熊本大) ,  KUBOTA AKIHISA (熊本大) ,  TOGE MUTSUMI (熊本大)
Material： 砥粒加工学会誌  (Abrasive Technology)
Volume： 57  Issue： 8  Page： 524-529  Publication year： Aug. 01, 2013 
JST Material Number： L0473A  ISSN： 0914-2703  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  substrate (plate) ,  semiconductor device ,  single crystal ,  Diamond ,  material ,  hard material ,  hardness ,  *ultraviolet irradiation ,  *polishing (machining) ,  *precision grinding ,  *ultraprecision machining ,  polished surface ,  mirror finishing ,  *lapping ,  smoothness ,  high-hard material ,  single crystal diamond ,  *ultraprecision polishing ,  ore ,  precious stone ,  *machining
Semi thesaurus term： power device ,  circuit material ,  *紫外線援用研磨 ,  単結晶SiC

JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Manufacturing of ceramics and ceramic whiteware  (YC03020V)

Reference (16)：

• KIKUCHI, M. Mechanochemical Polishing of Silicon Carbide Single Crystal with Chomium(III)Oxide abrasive. J. Am. Ceram. Soc. 1992, 75, 1, 189
• ZHOU, L. Chemonechanical Polishig of Silicon Carbide. J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 6, L161-L163
• LI, C. Electro-Chemical Mechanical Polishing of Silicon Carbide. J. Electron. Mater. 2004, 33, 5, 481
• HARA, Hideyuki. Novel abrasive-free planarization of 4H-SiC (0001). Journal of Electronic Materials. 2006, 35, 8, L11-L14
• YAMAUCHI, K. Smoothing of Single Crystalline SiC and Gan by Catalyst Referred Etching. J. Jpn. Soc. Precision Eng. 2012, 78, 11, 947

Terms in the title (6)： インチ ,  SiC基板 ,  紫外光 ,  支援 ,  研磨 ,  研究