Art

J-GLOBAL ID：201302249625456145   Reference number：13A0311944

Investigation of Wafer-Bonded InAs/Si Heterojunction by Transmission Electron Microscopy

透過電子顕微鏡によるウエハー-接着InAs/Siヘテロ接合の研究

Author (4)： KANBE Hiroshi (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  TADA Masanori (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  KOCHIGAHAMA Takuya (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  TANIWAKI Masafumi (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 52  Issue： 1,Issue 1  Page： 011201.1-011201.5  Publication year： Jan. 25, 2013 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： transmission electron microscope ,  *wafer ,  *adhesion (bond) ,  indium arsenide ,  silicon ,  heterojunction ,  interface (surface) ,  X-ray spectroscopy ,  lattice ,  annealing (heat treatment)

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (22)：

• 1) T. Sato, M. Mitsuhara, N. Nunoya, T. Fujisawa, K. Kasaya, F. Kano, and Y. Kondo: IEEE Photonics Technol. Lett. 20(2008)1045.
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Terms in the title (6)： 透過電子顕微鏡 ,  ウエハー ,  InAs ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  研究