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J-GLOBAL ID：201302294694741868   Reference number：12A1814741

Material and precursor design for PECVD SiCH films to realize low-k cap layer in ULSI Cu-interconnects: porosity control and its analysis

ULSI銅相互接続における低k保護膜実現のためPECVD SiCH膜の材料と前駆体設計:多孔性制御と解析

Author (5)： SHIMIZU H. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAJIMA N. (National Inst. Material Sci., Ibaraki, JPN) ,  MOMOSE T. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  UEDONO A. (Tsukuba Univ., Ibaraki, JPN) ,  SHIMOGAKI Y. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proc Int Symp Dry Process)
Volume： 34th  Page： 93-94  Publication year： 2012 
JST Material Number： Y0378B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *protective film ,  *VLSI ,  copper ,  *interconnection ,  *plasma CVD ,  *precursor(substance) ,  permittivity ,  *porosity(property) ,  spectroscopy ,  spiro-compound ,  silicon heterocyclic compound ,  silanes
Semi thesaurus term： ULSI ,  cap-layer ,  positron annihilation spectroscopy

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Substance index (2)： 1,1-Divinylsilacyclopentane ,  5-Silaspiro[4.4]nonane

Terms in the title (9)： ULSI ,  銅 ,  相互接続 ,  保護膜 ,  PECVD ,  前駆体 ,  設計 ,  多孔性 ,  解析