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J-GLOBAL ID：201303005105280823

強誘電体材料及び圧電体

Inventor： 川江 健 ,  森本 章治 ,  津田 尚
Applicant, Patent owner： 国立大学法人金沢大学
Agent (1)： 新居 広守
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008074105
Publication number (International publication number)：2009231482
Patent number：5267971
Application date： Mar. 21, 2008
Publication date： Oct. 08, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 強誘電体であるBiFeO3のBiサイトの一部が、希土類元素であるNdを用いて元素置換され、前記BiFeO3のFeサイトの一部が、遷移金属元素であるMnを用いて元素置換された(Bi1-xNdx)(Fe1-yMny)O3の構成を有する ことを特徴とする強誘電体材料。

IPC (9)：

H01L 41/187 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 41/18 ( 200 6.01) ,  H01L 41/39 ( 201 3.01) ,  H01B 3/12 ( 200 6.01) ,  C23C 14/08 ( 200 6.01) ,  C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  C04B 35/26 ( 200 6.01)

FI (8)：

H01L 41/18 101 B ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 A ,  H01B 3/12 318 Z ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/34 A ,  C04B 35/26 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 圧電材料および圧電素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-110031   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 圧電材料および圧電素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-109979   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 強誘電体材料、その製造方法及び強誘電体メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-371905   Applicant：富士通株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 圧電素子、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、及び電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-308967   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-042921   Applicant：富士通株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体膜、圧電素子、液体吐出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-005314   Applicant：富士フイルム株式会社