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J-GLOBAL ID：201303008641748829

III族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法

Inventor： 生田 哲也 ,  柴田 智彦
Applicant, Patent owner： DOWAエレクトロニクス株式会社
Agent (2)： 杉村 憲司 ,  川原 敬祐
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011153132
Publication number (International publication number)：2013021124
Application date： Jul. 11, 2011
Publication date： Jan. 31, 2013
Summary：

【課題】デバイス化の工程で割れが発生することを抑制することが可能なIII族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のIII族窒化物エピタキシャル基板10は、Si基板11と、該Si基板11と接する初期層14と、該初期層14上に形成され、Al組成比が0.5超え1以下のAlGaNからなる第1層15A1(15B1)およびAl組成比が0超え0.5以下のAlGaNからなる第2層15A2(15B2)を順次有する積層体を複数組有する超格子積層体15と、を有し、前記第2層のAl組成比が、前記基板から離れるほど漸減することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Si基板と、該Si基板と接する初期層と、該初期層上に形成され、Al組成比が0.5超え1以下のAlGaNからなる第1層およびAl組成比が0超え0.5以下のAlGaNからなる第2層を順次有する積層体を複数組有する超格子積層体と、を有し、 前記第2層のAl組成比が、前記基板から離れるほど漸減することを特徴とするIII族窒化物エピタキシャル基板。

IPC (9)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/26

FI (7)：

H01L29/80 H ,  C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  H01L33/00 186 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/263

F-Term (64)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077EF05 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030DA06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB13 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LN03 ,  5F152LN05 ,  5F152LN12 ,  5F152LN15 ,  5F152MM05 ,  5F152MM08 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 半導体電子デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-027765   Applicant：古河電気工業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-163838   Applicant：サンケン電気株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-076235   Applicant：サンケン電気株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-041426   Applicant：古河電気工業株式会社
• 半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-337167   Applicant：DOWAエレクトロニクス株式会社, 国立大学法人名古屋工業大学
• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-037381   Applicant：豊田合成株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-077541   Applicant：住友電工デバイス・イノベーション株式会社