半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (5)：杉村憲司 , 杉村興作 , 来間清志 , 藤谷史朗 , 澤田達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007337167
Publication number (International publication number)：2009158804
Application date： Dec. 27, 2007
Publication date： Jul. 16, 2009
Summary：

【課題】クラック及びピットの発生が少なく、結晶性に優れた窒化物半導体層を有する半導体材料及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】Si基板10上又はこの上に形成した中間層20上に、AlXGa1-XNの組成からなり、該組成中のAl含有比が結晶成長方向に連続又は不連続に減少するように組成を傾斜させた組成傾斜層30を形成し、該組成傾斜層30の上に、AlYGa1-YNの組成からなるからなる高Al含有層41とAlZGa1-ZNの組成からなる低Al含有層42とを交互に積層してなる超格子複合層40を形成し、該超格子複合層40の上に、窒化物半導体層50を形成してなる半導体材料を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Si基板上又はこの上に形成した中間層上に、AlXGa1-XNの組成からなり、該組成中のAl含有比が結晶成長方向に連続又は不連続に減少するように組成を傾斜させた組成傾斜層を形成し、該組成傾斜層の上に、AlYGa1-YN(ただし、0.5≦Y≦1とする。)の組成からなる高Al含有層と、AlZGa1-ZN(ただし、0≦Z≦0.5とする。)の組成からなる低Al含有層とを交互に積層してなる超格子複合層を形成し、該超格子複合層の上に、窒化物半導体層を形成してなることを特徴とする半導体材料。

IPC (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/34

FI (2)：

H01L21/205 , C23C16/34

F-Term (24)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030HA15 , 4K030JA20 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045CA05 , 5F045CA11 , 5F045DA53 , 5F045DA58

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

窒化ガリウム材料および方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-550144 Applicant：ニトロネックス・コーポレーション
窒化物半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-249527 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-193241 Applicant：古河電気工業株式会社

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Cited by examiner (5)

半導体電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-193241 Applicant：古河電気工業株式会社
半導体基板及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-076987 Applicant：DOWAホールディングス株式会社, 国立大学法人名古屋工業大学
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-032680 Applicant：日本電信電話株式会社

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