Pat

J-GLOBAL ID：201303010371520973

成膜装置及び成膜方法

Inventor： 千田 二郎 ,  大嶋 元啓 ,  石田 耕三 ,  富永 浩二
Applicant, Patent owner： 学校法人同志社 ,  株式会社堀場製作所
Agent (1)： 西村 竜平
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007508107
Patent number：5248855
Application date： Mar. 10, 2006
Claim (excerpt)：

【請求項1】 液体原料を気化し、基板上に堆積させて金属酸化膜又は金属窒化膜を成膜する成膜装置であって、 前記基板を内部に保持する成膜室と、前記液体原料を前記成膜室内に直接噴射する噴射弁と、を備え、前記噴射弁から前記液体原料を前記成膜室に噴射すると同時に前記液体原料を気化するものであり、 前記液体原料が、有機金属化合物と低沸点有機化合物とからなる混合溶液であり、 前記成膜室内の圧力を、前記液体原料の気化時及び成膜時において、前記低沸点有機化合物と混合する前の前記有機金属化合物の蒸気圧よりも大きくし、かつ前記混合溶液の蒸気圧よりも小さく調節していることを特徴とする成膜装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  C23C 16/448 ( 200 6.01) ,  C23C 16/52 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/448 ,  C23C 16/52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 化学気相蒸着用金属アルコキシド組成物及びそれを用いた絶縁膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-080524   Applicant：株式会社日鉱共石
• 成膜方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-130260   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 組成物、該組成物を含有してなる化学気相成長用原料及びこれを用いた薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-150822   Applicant：旭電化工業株式会社