半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：斉藤達也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2012525085
Publication number (International publication number)：2013502563
Application date： Aug. 18, 2010
Publication date： Jan. 24, 2013
Summary：

【課題】【解決手段】本発明は基板と、該基板上のGaNを含む第1層とAlGaNを含む第2層とを含む構成を含む半導体装置に関する。第1層上に第2層を堆積させ、第1層及び第2層は少なくとも部分的に基板を被覆する。また該構造はダイヤモンドを含む第3層を含む。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

半導体装置であって、基板と、前記基板上のGaNを含む第1層と、 AlGaNを含む第2層と、を含む構造を含み、前記第1層上に前記第2層を堆積し、前記第1層及び前記第2層が少なくとも部分的に前記基板を被覆し、前記構造がダイヤモンドを含む第3層を含む、半導体装置。

IPC (7)：

G01N 27/414 , G01N 27/30 , G01N 27/48 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/28

FI (7)：

G01N27/30 301U , G01N27/30 301W , G01N27/30 B , G01N27/48 311 , H01L29/80 F , H01L29/80 H , H01L21/28 301Z

F-Term (23)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB36 , 4M104BB37 , 4M104BB40 , 4M104DD28 , 4M104DD43 , 4M104DD55 , 4M104GG09 , 4M104GG12 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F102GA11 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GV05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

絶縁ゲート電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-309107 Applicant：シャープ株式会社
半導体センサ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-525471 Applicant：ミクロガンゲーエムベーハー
ダイヤモンド薄膜バイオセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-042211 Applicant：株式会社神戸製鋼所

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Cited by examiner (6)

絶縁ゲート電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-309107 Applicant：シャープ株式会社
半導体センサ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-525471 Applicant：ミクロガンゲーエムベーハー
ダイヤモンド薄膜バイオセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-042211 Applicant：株式会社神戸製鋼所

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