窒化物半導体の評価方法及び評価装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：高田守 , 高橋英樹
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007166624
Publication number (International publication number)：2009004706
Patent number：5125252
Application date： Jun. 25, 2007
Publication date： Jan. 08, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】窒化物半導体に音波を照射してピエゾ分極を発生させる工程と、プローブ光を前記窒化物半導体に照射する工程と、前記窒化物半導体で反射又は透過した前記プローブ光の変調スペクトルを測定する工程と、前記変調スペクトルに現れるフランツ・ケルディッシュ振動の周期に基づいて前記窒化物半導体の内部電場を求める工程と、前記音波の伝搬方向に対してコリニアであるポジショニング用光ビームを前記窒化物半導体に照射する工程と、前記ポジショニング用光ビームの前記窒化物半導体の表面上での照射位置に基づいて、前記プローブ光と前記音波が前記窒化物半導体の表面上で交差するように調整する工程とを備えることを特徴とする窒化物半導体の評価方法。

IPC (4)：

H01L 21/66 ( 200 6.01) , G01N 21/27 ( 200 6.01) , G01N 21/00 ( 200 6.01) , G01N 29/00 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 21/66 L , G01N 21/27 B , G01N 21/00 B , G01N 29/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体層の検査方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-218329 Applicant：三菱電機株式会社
半導体多層膜の分光計測方法および分光計測装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-009515 Applicant：三菱電機株式会社
線状波動励起型検査・評価装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-120913 Applicant：星宮務

Show all

Return to Previous Page