半導体層の検査方法および装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：竹内三喜夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005218329
Publication number (International publication number)：2007035991
Application date： Jul. 28, 2005
Publication date： Feb. 08, 2007
Summary：

【課題】半導体層の表面状態を短時間で精度良く測定できる半導体層の表面検査方法および装置を提供する。【解決手段】ステップa1において、試料の最上層に位置するアンドープAlGaN層4の表面に対してプローブ光を照射し、ステップa2において、光照射によってアンドープAlGaN層4で発生する励起子に特有な光学反射スペクトルを計測する。ステップa3において、検査試料の反射率スペクトルR(λ)のブロードニングファクターを解析し、ステップa4において、抽出したブロードニングファクターに基づいて、アンドープAlGaN層4の表面状態を評価する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成された半導体層に光を照射するステップと、光照射によって半導体層で発生する励起子に特有な光学スペクトルを計測するステップと、該光学スペクトルのブロードニングファクターを解析するステップとを含むことを特徴とする半導体層の検査方法。

IPC (1)：

H01L 21/66

FI (1)：

H01L21/66 L

F-Term (6)：

4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106BA04 , 4M106CA21 , 4M106CA46 , 4M106DJ20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開平2-307046号公報
基板表面の電圧分布の検査装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-195683 Applicant：株式会社ニコン
半導体ウエハーの選別方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-023005 Applicant：日本電信電話株式会社

Cited by examiner (4)

半導体多層膜の分光計測方法および分光計測装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-009515 Applicant：三菱電機株式会社
AlGaN系化合物半導体のp型活性化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-081407 Applicant：大阪瓦斯株式会社
半導体基板表面の評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-045827 Applicant：日本電気株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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