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J-GLOBAL ID：201303012724388066

圧電素子、液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置

Inventor： 久保田 純 ,  三浦 薫 ,  薮田 久人 ,  渡邉 隆之 ,  林 潤平 ,  舟窪 浩 ,  安井 伸太郎 ,  及川 貴弘 ,  長田 潤一 ,  内田 寛
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学 ,  学校法人上智学院
Agent (9)： 岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  高橋 誠一郎 ,  吉澤 弘司 ,  齋藤 正巳 ,  木村 克彦 ,  ▲濱▼口 岳久 ,  田中 尚文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013035931
Publication number (International publication number)：2013211539
Application date： Feb. 26, 2013
Publication date： Oct. 10, 2013
Summary：

【課題】圧電歪みの大きなBi系圧電体膜を用いた圧電素子を提供する。【解決手段】圧電体膜3は一般式(AはBi元素、またはBi元素と3価の金属元素から選択される少なくとも1種の他の元素との組合せを表し、MはFe、Al、Sc、Mn、Y、Ga、Ybのうちの少なくとも1種の元素を表し、x、j、k、l、m、nはそれぞれ所定の数値範囲内にあり、l+m+n=1である)で表わされるペロブスカイト型金属酸化物を主成分とし、ペロブスカイト型金属酸化物は膜厚方向に擬似立方晶表記で(111)一軸配向し、下部電極は基板と接した第一の電極層201と圧電体膜と接した第二の電極層202からなり、第二の電極層202は膜厚方向に擬似立方晶表記で(111)一軸配向したペロブスカイト型金属酸化物電極である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

圧電体膜と、該圧電体膜に接して設けられた一対の電極とを基板上に有する圧電素子であって、前記圧電体膜は下記一般式(1):

IPC (6)：

H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18 ,  C04B 35/462 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/045

FI (6)：

H01L41/08 C ,  H01L41/18 101J ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101Z ,  C04B35/46 J ,  B41J3/04 103A

F-Term (20)：

2C057AF65 ,  2C057AF99 ,  2C057AG44 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14 ,  4G031AA03 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA19 ,  4G031AA21 ,  4G031AA26 ,  4G031AA27 ,  4G031AA29 ,  4G031AA35 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031CA02 ,  4G031CA04 ,  4G031GA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ぺロブスカイト構造酸化物薄膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-206439   Applicant：国立大学法人東京工業大学, キヤノンオプトロン株式会社
• 半導体基板上の積層構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-066393   Applicant：国立大学法人豊橋技術科学大学
• 誘電体素子、圧電体素子、インクジェットヘッド及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-001364   Applicant：キヤノン株式会社, 舟窪浩