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Pat
J-GLOBAL ID:201303014080774175

半導体装置及びその製造方法並びにその半導体装置を用いたスーパーヘテロダイン方式の通信機

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): ポレール特許業務法人
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2008283248
Publication number (International publication number):2010114142
Patent number:4966949
Application date: Nov. 04, 2008
Publication date: May. 20, 2010
Claim (excerpt):
【請求項1】 半導体基板上に設けられた第1導電型の第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の上に設けられた第1導電型の第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の上に設けられた第2導電型の第3の半導体層と、 該第3の半導体層上に設けられ、開口部を有する第1の絶縁膜と、 前記開口部内に設けられた第1導電型の第4の半導体層と、 前記第4の半導体層上に設けられた第1導電型の第5の半導体層と を具備して成り、 前記第4の半導体層の不純物濃度は前記第5の半導体層よりも小さく、 前記第4の半導体層は前記第1の絶縁膜の側壁に接しないように形成され、 少なくとも前記第4の半導体層と前記第1の絶縁膜とで囲まれた空洞を有する ことを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 29/737 ( 200 6.01) ,  H01L 21/331 ( 200 6.01)
FI (1):
H01L 29/72 H

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