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J-GLOBAL ID：201303014080774175

半導体装置及びその製造方法並びにその半導体装置を用いたスーパーヘテロダイン方式の通信機

Inventor： 三浦 真 ,  鷲尾 勝由 ,  小田 克矢 ,  島本 裕已
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： ポレール特許業務法人
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008283248
Publication number (International publication number)：2010114142
Patent number：4966949
Application date： Nov. 04, 2008
Publication date： May. 20, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】 半導体基板上に設けられた第1導電型の第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の上に設けられた第1導電型の第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の上に設けられた第2導電型の第3の半導体層と、 該第3の半導体層上に設けられ、開口部を有する第1の絶縁膜と、 前記開口部内に設けられた第1導電型の第4の半導体層と、 前記第4の半導体層上に設けられた第1導電型の第5の半導体層と を具備して成り、 前記第4の半導体層の不純物濃度は前記第5の半導体層よりも小さく、 前記第4の半導体層は前記第1の絶縁膜の側壁に接しないように形成され、 少なくとも前記第4の半導体層と前記第1の絶縁膜とで囲まれた空洞を有する ことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/737 ( 200 6.01) ,  H01L 21/331 ( 200 6.01)

FI (1)：

H01L 29/72 H

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-134972   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-107148   Applicant：ソニー株式会社
• ヘテロバイポーラトランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-338703   Applicant：富士通株式会社
• ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-183540   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-318115   Applicant：アルプス電気株式会社