Pat

J-GLOBAL ID：201303031057671085

ダイヤモンド様薄膜の評価方法

Inventor： 鷹林 将 ,  高萩 隆行 ,  島田 賢也 ,  岡本 圭司 ,  中谷 達行
Applicant, Patent owner： 国立大学法人広島大学 ,  トーヨーエイテック株式会社
Agent (12)： 特許業務法人前田特許事務所 ,  前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007229379
Publication number (International publication number)：2009063325
Patent number：5194655
Application date： Sep. 04, 2007
Publication date： Mar. 26, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 ダイヤモンド様薄膜の電気抵抗率を測定するステップ(a)と、 前記電気抵抗率とあらかじめ算出した評価式とに従い前記ダイヤモンド様薄膜に含まれる結合状態が異なる炭素の比率を評価するステップ(b)とを備え、 前記評価式は、前記電気抵抗率と、X線光電子分光スペクトルの炭素1sピークのピーク位置との相関関係、及び前記炭素1sピークのピーク位置と前記結合状態が異なる炭素の比率との相関関係を表し、且つ複数の基準となるダイヤモンド様薄膜について電気抵抗率及びX線光電子分光スペクトルを測定することにより求め、 前記結合状態は、sp3炭素-炭素結合と、sp2炭素-炭素結合と、sp3炭素-水素結合と、sp2炭素-水素結合とを含むことを特徴とするダイヤモンド様薄膜の評価方法。

IPC (2)：

G01N 27/04 ( 200 6.01) ,  G01N 23/227 ( 200 6.01)

FI (2)：

G01N 27/04 Z ,  G01N 23/227

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• アモルファス多層構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-079016   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 絶縁性薄膜の欠陥検出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-287983   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-128437   Applicant：ソニー株式会社
• 薄膜の膜種判定方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-170174   Applicant：トヨタ自動車株式会社
• 特開昭63-210268
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• XPSスペクトルにおけるダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜のアモルファス性の解析