半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013163158
Publication number (International publication number)：2013232689
Application date： Aug. 06, 2013
Publication date： Nov. 14, 2013
Summary：

【課題】酸化物半導体材料を用いたフィン型構造トランジスタにおいて、微細化に伴いオン電流の低下や電気特性バラツキの増加が顕著となる。【解決手段】絶縁表面上に設けられた、チャネル形成領域およびチャネル形成領域を挟む一対の低抵抗領域を含む酸化物半導体層と、酸化物半導体層の上面および側面を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を挟んでチャネル形成領域の上面および側面を覆うゲート電極と、低抵抗領域と電気的に接続された電極を有し、電極が低抵抗領域の少なくとも側面と電気的に接続されている構造とし、ソース電極およびドレイン電極の接触抵抗を低減した。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁表面上の、酸化物半導体層及び前記酸化物半導体層を挟む一対の電極を含む構造体と、前記構造体の上面及び側面を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を挟んで、前記酸化物半導体層の上面及び側面を覆うゲート電極とを有し、前記酸化物半導体層の膜厚は、前記酸化物半導体層のチャネル長方向の長さよりも大きいことを特徴とする半導体素子。

IPC (13)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/11 , H01L 27/115 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/417 , H01L 27/105

FI (13)：

H01L29/78 618C , H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L29/58 G , H01L27/10 321 , H01L27/10 381 , H01L27/10 434 , H01L27/10 615 , H01L27/10 671C , H01L27/10 671Z , H01L29/78 371 , H01L29/50 M , H01L27/10 441

F-Term (191)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA05 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD15 , 4M104DD20 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD71 , 4M104DD75 , 4M104FF01 , 4M104FF04 , 4M104FF06 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF21 , 4M104FF26 , 4M104FF29 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG16 , 4M104HH04 , 4M104HH10 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 4M104HH15 , 5F083AD02 , 5F083AD03 , 5F083AD14 , 5F083AD69 , 5F083BS01 , 5F083BS13 , 5F083BS27 , 5F083EP22 , 5F083EP75 , 5F083GA01 , 5F083GA02 , 5F083GA05 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA10 , 5F083GA21 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083HA08 , 5F083JA05 , 5F083JA12 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA44 , 5F083JA58 , 5F083LA02 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA21 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR07 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR36 , 5F083PR37 , 5F083PR40 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F101BA17 , 5F101BB17 , 5F101BD12 , 5F101BD13 , 5F101BD30 , 5F101BD33 , 5F101BD35 , 5F101BD39 , 5F101BD40 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BF01 , 5F101BF02 , 5F101BF03 , 5F101BF09 , 5F101BH09 , 5F101BH16 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA30 , 5F110BB08 , 5F110CC02 , 5F110CC10 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE30 , 5F110EE31 , 5F110EE38 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL12 , 5F110HL14 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HL27 , 5F110HM15 , 5F110HM17 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-158360 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-273185 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
フィーチャ空間集積度を高めるリソグラフィのためのダブルパターニング方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2009-536846 Applicant：エヌエックスピービーヴィ

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